מספר מוצר של יצרן:
TSM7N65ACI C0G
Product Overview
יצרן:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
TSM7N65ACI C0G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 7A ITO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 40W (Tc) Through Hole ITO-220AB
מלאי:
12898788
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
jDnN
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TSM7N65ACI C0G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Taiwan Semiconductor
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.45Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
27.8 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1406 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
40W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
ITO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
מידע נוסף
שמות אחרים
TSM7N65ACI C0G-DG
TSM7N65ACIC0G
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
TK8A65W,S5X
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
50
DiGi מספר חלק
TK8A65W,S5X-DG
מחיר ליחידה
0.66
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMG3413L-7
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
TSM190N08CZ C0G
MOSFET N-CHANNEL 75V 190A TO220
TSM6NB60CZ C0G
MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO220
